Festkörper-Halbleiterchemie

Forschungsgebiete

  • Festkörperreaktionen: Strukturen und Carboxylierung von Alkalimetallphenolaten, zum Mechanismus der Kolbe-Schmitt-Synthese
  • Kristall-Engineering von porösen Netzwerken mit koordinativen Bindungen und Wasserstoffbrückenbindungen
  • Synthese und Struktur neuer Oxidphasen des Aluminiums
  • In-situ-Kristallzüchtung chiraler Aluminiumalkylverbindungen
  • Röntgenkristallstrukturanalyse von Metallchelaten und organischen Verbindungen
  • Metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) and liquid phase epitaxy (LPE) of AIII-BV-semiconductor
  • MOVPE Monolagenepitaxie auf InAs, GaAs, AIAs, InP
  • Einsatz alternativer Quellen bei der MOVPE
  • Physikalische und kristallographische Charakterisierung des epitaktischen Materials

Ausstattung

  • Vierkreisdiffraktometer STADI4(Fa. Stoe) mit Tieftemperaturtechnik
  • Vierkreisdiffraktometer (Fa. Huber) mit eigener Meßsoftware und Tieftemperaturmeßtechnik
  • CCD-Diffraktometer (Fa. Siemens) mit Tieftemperaturtechnik
  • Kristallzuchtanlage CHALLENGE (Fa. Comray GmbH Analytiks)
  • Simon-Guinier-Kamera
  • Kristallzüchtungsapparaturen für Molekülkristalle
  • Syntheselabors mit Inertgastechnik
  • MOVPE AIX 200 Reaktor
  • Normaldruck-MOVPE-Anlage (Eigenbau)
  • LPE-Anlage (Eigenbau)
  • Plasma-CVD-Anlage (Plasmalab 80, Oxford)
  • Kraftmikroskop (Fa. Topometrix)
  • Doppelkristalldiffraktometer (Fa. Bede)
  • Fotolithografielabor

letzte Änderung: 26.07.2012

Kontakt

Festkörper-Halbleiterchemie
N.N.
Johannisallee 29
04103 Leipzig
Telefon: +49 341 97-36218
Fax: +49 341 97-36249

Suche

Weitere Informationen

Hinweis:

Beachten Sie bitte, dass auch das gewünschte Jahr eingestellt sein muss, damit die Projekte angezeigt werden.

Hier finden Sie die Forschungsberichte bis 2007 im alten Layout.