Abteilung Halbleiterphysik

Forschungsgebiete

  • III-V-Verbindungshalbleiter
  • III-Nitrid und ZnO-basierte Materialien für den grünen, blauen und UV-Spektralbereich
  • Nanotechnologie und Selbstorganisationstechniken für neuartige Materialien und Bauele-mente basierend auf atomaren Monolagen und Quantenpunkten
  • Mittel-infrarote Intersubniveau-Übergänge in Heterostrukturen
  • Mikrokavitäten
  • Halbleiter-Bauelemente (Photodetektoren, Solarzellen, LEDs, Laser)
  • Pulsed laser deposition of II-VI semiconductors (ZnO), CIS/CIGS, ceramics, and high temperature superconductors

Ausstattung

  • Photolumineszenz-Spektrometer
  • Fouriertransform-Spektrometer
  • Kapazitätsmessbrücke, DLTS, Admittanz, I-V, Wafer-Profer
  • Photolumineszenz-Anregungs-Spektrometer
  • Massenspektrometer (tiefenaufgelöst, SNMS)
  • Laserinduzierte Plasmaabscheidung (Mehrkammer, große Substratfläche)
  • Halbleiter-Prozessierung
  • Spektroskopische Ellipsometrie (UV-VIS-NIR-MIR)
  • Charakterisierung von Laserdioden
  • Röntgendiffraktometer
  • Raster-Tunnel-Mikroskop (STM)
  • Rasterelektronenmikroskop (mit EDX, EBIC und Kathodolumineszenz)

letzte Änderung: 26.07.2012

Kontakt

Abteilung Halbleiterphysik
Grundmann, Marius (Prof. Dr.)
Linnéstraße 5
04103 Leipzig
Telefon: +49 341 97-32650
Fax: +49 341 97-32668
E-Mail

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Hinweis:

Beachten Sie bitte, dass auch das gewünschte Jahr eingestellt sein muss, damit die Projekte angezeigt werden.

Hier finden Sie die Forschungsberichte bis 2007 im alten Layout.